驱动芯片退饱和保护（DESAT）的原理为：首先因为MOS管关断时承受很高的反压，检测不了这个，故一般加一个高压的二极管即为图中的Dhv，正常工作时，如图所画，红色线为电流的流向图，此时，Cblk的电位为流过R上的压降+Dhv的二极管压降，SIC漏源之间的一个不大的压降，当SIC MOS短路时，漏源之间的电压变大，Dhv不导通，那么VDD全部加在CBLK上，导致CBLK电压差比正常时高，将这个电压与

1 这个启动电阻和接VDD的电容，组成RC，能决定芯片启动时间，（500ms,1s,2s等）一般通过改变电阻的大小来调节启动时间，电容不能太小，太小的话，可能会存储的电荷量不够，不足以驱动MOS管 这个启动电阻尽量大些，静态功耗会小点。Vdd还可以通过D4来调节，用慢管就V小些，快管就V大些，这个电压还可以通过副边绕组的匝数来调节，降低匝数可以减低电压，还有变压器的匝数的耦合度来影响这个电压，耦合

若驱动小于供电，例如是MCU的电平的话，一般MCU输出的幅值是3.3V，供电电压12V，会出现 1 由于三极管的PN压降，那么给到MOS驱动的只有2.7V左右，不能使得MOS管完全的导通。这是一个错误的用法，如果单独输入是0V或12V，那么该电路看似没有毛病，但是输入信号是变化的，电压信号高低电平的跳变有过渡的过程，所以在某个中间电压时会出现两个管子同时导通的情况，这是要。原因是芯片内部的工作电压

在功率管工作正常的时候，即如图figure 2所示，此时的电流流向如图中的蓝色标识，在正常导通时候，其VCE两端的电压可能为2V. 芯片内部的上拉电流源Ichg电流从DESAT端口流出，通过Rlim和Dhv流到IGBT。而SIC MOS短路的时候，由于Id急剧上升，且Rds(on)与Id是正比于的关系，随着Id的增加，Rds(on)也增加，进而导致Vds压降增大。从外围电路的角度来看，对短路检测时