摘要：VDMOS（垂直双扩散MOS）采用垂直结构，耐压高（>500V），适用于工业电机驱动；TrenchMOS通过沟槽工艺降低导通电阻，适合200V以下高频应用；SGTMOS（屏蔽栅沟槽MOS）在TrenchMOS基础上优化开关损耗，适用于100V以下超高频场景；COOLMOS（超结MOS）突破硅极限，耐压600-900V且导通电阻极低，适合光伏逆变器等高压高效需求。选型需根据电压等级、开关