Memory Repair（内存修复）是一种在芯片制造测试阶段检测并修复存储器缺陷的技术。其核心思想是在存储器设计中预留“冗余”（Redundancy）资源——额外的备用行（Spare Row）和备用列（Spare Column）基础存储器阵列与 Column MUX 架构示意图当检测到存储单元故障时，用这些冗余资源替换故障单元，从而使芯片恢复正常功能。而这个过程最严苛的要求，就是时序收敛。

现代SoC芯片中存储器占比达50%-80%，先进制程下存储器缺陷导致20%-30%芯片报废。Memory Repair技术通过在存储器设计中预留冗余资源（备用行/列）来修复故障单元，包含硬修复（eFuse永久固化）和软修复（SRAM动态更新）两种方式。核心技术包括MBIST（内存自测试）、BIRA（冗余分析）和BISR（自修复实现），通过检测-分析-修复-存储的流程提升良率15%-25%。该技术已