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2019上海交大874半导体物理与器件基础考研真题回忆版

第一题

1.有效质量的意义是什么。

2.E(K)是三维的k波矢平方相加，对应Kx方，Ky方，Kz方的系数分别为a，b，c。问能否找到一个方程能替换牛顿定律

F=m*(dx关于dt的二阶导)。其中m为惯性质量，F为外力。

第二题。

对于一个平面二维晶体,

E(k)=h/2m*（Kx^2+Ky^2）,问二维的状态密度公式。

第三题。

1.什么是本征半导体。什么是杂质电离能。

2.有一块n型硅，设在温度为300K时，

电子的有效质量=m0，求当Ef=0.5（ED+Ec）时的施主杂质浓度。（假设施主杂质电离很弱）

第四题

。1.什么是准费米能级

2.试推导非简并条件下的爱因斯坦关系式。

第五题。

什么是肖特基二极管，什么是霍尔效应。

第六题。

已知一个pn突变结。结面积为0.0001平方厘米，NA=10的18次，ND=10的16次，空穴在n区的迁移率为500V每平方厘米，对应的电子在p区为180（可能两个数据记反了）。两种载流子寿命均为一微秒。1.求反向饱和电流及当正向电流为1mA时的电压大小。2.求在施加正向电压为0.5V时的势垒电容

第七题。

一个铝栅P沟道mos管，告诉了你栅氧化层厚度120nm及带电量及介电常数，N型硅衬底掺杂浓度，介电常数。Al-SiO2电势差为-3.2V,硅的表面势为（3.8+X）V,X为费米势。1.问阈值电压是多少。2.当VGs为-4V时，W为300nm，L为10nm，空穴迁移率为230，没有告诉你VDs,问漏电流大小以及跨导。也是我觉得这次最难的一题，因为考察了好多点，和去年的题目比好像难了很多，我自己也因为当时复习这一块没多少头绪，只是跟着真题，所以很多细枝末节的东西没看到，做这题有点懵。

第八题。

1.PNP管有哪几种工作状态

2.画出均匀基区少子分布图，一个是发射结集电结都零偏，一个是发射结正偏，集电结反偏。

3.证明缓变基区晶体管的发射效率可以由方块电阻表示的那个公式，以前零几年的时候考过原题，书上也有证明。

4.一个基区杂质浓度呈指数分布的缓变管，已知

E=kT*基区漂移系数/(q*WB)注意这里没有书上的负号,告诉你WB，电场大小为500V/cm,以及靠近发射结一端的基区杂质浓度，问靠近集电结一侧的基区杂质浓度。