在上一篇文章当中仿真了电阻做负载的共源极放大电路，原文链接在此。电阻RD做负载的共源级放大器——virtuoso仿真（cadence IC617）-CSDN博客

       得到DC仿真结果后，就试想着按照所设参数进行手工计算，对仿真数据与计算数据进行比较。但在手工计算的过程中，要用到un,COX,Vth这几个参数，这几个参数都与工艺库有关。如何在工艺库中找到它们至关重要。不同工艺库寻找这几个参数的路径可能不一样，我只能以我用的工艺库为例。

      我在上述设计中用的是smic.18工艺，在工艺库文档中会有相关模型参数文件，我的是在spice_model这个文件夹中，具体文件后缀.mdl。

      打开工艺文件后，找到1.8V NMOS Model，给出了该工艺下NMOS的所有参数。其中，氧化层厚度为TOX=3.87E-09，迁移率un=3.4E-02，阈值电压Vth0=0.39V。可以将其带入MOS饱和区电流公式进行计算。

      电路中晶体管的宽长比W/L=3.6u/0.6u,Vgs=500mV, RD=10KΩ。在Id-Vgs曲线中，选取一点M（1.7V，170.34uA）进行分析计算。

      计算得到的结果是156.18uA,仿真结果为170.34uA，两者相差14uA，计算结果与仿真结果相比偏小 一点。分析可能的原因有：

1、Vth的值不同。工艺库中给出的是0.39V，但在仿真的结果中是0.428V。

2、忽略了沟道长度调制效应。从输出曲线中不难看出，曲线的末端接近于直线，但仍有上翘的量。在工艺库中查到沟道长度调制系数为1.2.

重新分析：

        可以看出，结果相比第一次有所改善，虽然还是有6uA的差距，但相比于一百多uA来说，可以忽略不计。