一、IR2104的引脚定义:

芯片引脚意义(DataSheet)

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SD信号为使能信号,高电平有效,芯片工作。IN为高电平时HO为高,LO为低;IN为低电平时,HO为低,LO为高电平,我们的PWM信号就是在这里输入(因为片内自带了CMOS和LSTTL电平兼容器,可以直接输入而不用考虑电平转换)。Vb是高侧浮动电源输入脚,HO是高侧门极驱动输出,Vs是高侧浮动电源回流。(相当于电源从Vb输入,从HO输出到电路上,然后再从Vs流回芯片形成回路)这三个控制上半桥的MOS导通。Vcc是低侧浮动输入及参考电源输入脚,LO是低侧门极驱动输出,COM是低侧回流。(与上面高侧一样的)这三个控制下半桥的MOS导通。

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(提前说一下自己的理解,LO为高电平时,Vcc与LO在芯片内部相当于是连接的,低电平则断开。同理HO为高电平时,VB和HO是连接的,低电平时断开)

当IN为低电平时(这时sd是一直有高电平输入的),HO为低电平,LO为高电平,此时Q2导通,Q1断开,Q2的D级S级导通,此时给C1充电,我们普遍认为C1上端电压为Vcc,下端电压近似为零,当IN变为高电平时,HO为高电平,LO为低电平,此时Q2断开,Q1导通,这时C1作用就显现出来了,我们先了解为什么要这个自举电容,我们先不看这个电容,我们都知道Nmos管要导通Vgs必须大于某个值,此时Q1的g级电压为HO的输出电压,Q1的s级电压为Vs上的电压等于零,导通瞬间,s级的电压等于Vcc减去mos管的导通压降,(注意在电路右上角还有一个Vcc)所以此时s级电压近似为Vcc,如果HO的输出电压为Vcc则此时Vgs等于零,mos管瞬间关闭,s级电压又降为零然后mos又导通,这样反复肯定不行的。所以HO的电压在Q1导通时必须大于Vcc,这样才能让mos导通一段时间 ,而不是瞬间关闭。因为电容电压不能突变,而又有二极管阻止电流回流会电源,所以此时VB引脚的输入电压为:电源电压(Vcc)加上电容上端电压(Vcc)(前面提过HO高电平时,HO与VB在芯片内部相当于连接的),这个只是近似值电压不一定这么高,此时,mos管导通时Vgs是大于导通电压的,但是Vgs会不断减小(电容不断放电),而后面Q1断开,Q2导通时,又给电容充电。这就是pwm波控制的。而电机,你可接在上面那个mos管的D级S级两端就OK了,也可以接在下面那个的D级S级两端就OK了,当然还是在上面的好。

 

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