动态RAM共有三种刷新方式：集中刷新，分散刷新，异步刷新
刷新的实质：先将原信息读出，再由刷新放大器形成原信息重新写入的再生成的过程

为什么要进行刷新：存储单元被访问是随机的，有些存储单元可能长时间的不被访问，不进行存储器的读写操作，其存储单元内的原信息就可能会丢失。

刷新是一行行进行的，必须在刷新周期内

刷新周期：对DRAM的所有存储单元恢复一次原状态的时间间隔

刷新间隔：两次刷新的起始时间差（某行从第一次刷新到第二次刷新的等待时间）

行刷新间隔：两行刷新的起始时间差

刷新时间：规定的一个周期内刷新的总时间

刷新一行的时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。

集中刷新

集中刷新：在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新（用专门的时间进行全部刷新）
例对128×128的矩阵的存储芯片进行刷新，存储周期为0.5μs，刷新周期为2ms（再刷新到这里）
刷新：是对信息读出再写入 所以所需要的时间也是0.5μs

2ms的刷新周期，占得存取周期个数为：

2000μs÷0.5μs=4000（个）

共有128行要进行刷新，则刷新占128个存取周期，则刷新的时间为：

128×0.5μs=64μs

读写或维持的时间：

2000μs-64μs=1936μs

读/写或维持的存储周期为：

4000-128=3872（个）

当用64μs进行集中刷新是，此时不能进行任何的读/写操作，故将这64μs称为“死区”或“死时间”

“死时间”所占的比率也称为“死时间率”
则集中刷新的“死时间率为”

128÷4000×100%=3.2%

优点：速度高
缺点：存在死区，死时间长

分散刷新

分散刷新：是指对每行存储单元的刷新分散到每个存储周期内完成（对某一行某芯片进行读写操作后，紧接着刷新 包含在了读写周期内）

例：对128×128的矩阵的存储芯片进行刷新，读/写周期为0.5s（读一次或写一次），

将刷新分散到存储周期内完成 ，则存储周期就包含了刷新时间
此时，存储周期（存储器进行两次独立的存储器操作 读或写）为

t=0.5μs+0.5μs=1μs

刷新（刷新以行算）一行的时间为1μs，全部刷新完的时间为：

128×1μs=128μs

此时比2ms小的多 在刷新到此处隔128μs

优点：无死区
缺点：存取周期长，整个系统的速度降低了

异步刷新

异步刷新：前两种方式的结合，缩短了死时间，充分利用了最大刷新间隔为2ms的特点（只要在2ms内对这一行刷新一遍就行）

例：对128×128的矩阵的存储芯片进行刷新，存储周期为0.5s，刷新周期为2ms

2ms内对每行刷新一遍：

2000μs÷128≈15.6μs

即每隔15.6μs刷新一行，每行的刷新时间仍然为0.5μs。刷新一行就停一个存储周期，“死时间缩短为0.5μs”（15.6μs内刷新一行 其他全用来读写）

这种方案克服了分散刷新许独占0.5μs用于刷新，使存取周期加长且降低系统速度的缺点，又不会出现集中刷新的访问“死区”问题，从根本上提高了工作效率。