最简单的 MOSFET 结构由一个衬底（可以是P型或者N型）和两个与 体区极性相反的硅区域组成，它们构成了漏极和源极。MOSFET可以构建为具有P型衬底和N型漏极与源极区域，这意味着，要使。如果硅区域中掺杂了具有五价电子（元素周期表中的第V族）的离子，那么就会有一个额外的电子被释放到半导体中，因此电荷总体为负（N 型）在价带中具有三个电子的元素将缺少一个电子，这相当于贡献了一个空穴，意味着总电荷为

为了减少RC抽取过程中的计算量，节省RC抽取的时间，我们一般不直接使用这种文件而是先将其转换成查找表文件（TLU+以及capTable）。为了提高RC提取的精度，我们会使用更加精确的RC提取引擎或者RC提取工具（如StarRC），它们的输入是nxtgrd/qrcTechfile文件。同样，它们也可以由itf和ict文件转换而成，用的命令分别是Techgen和grdgenxo。其原理与captabl

数字后端文件、输入文件介绍

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