下极板通过配合时序可以消除电荷注入效应；上极板的话，采样完直接比较吧下极板通过配合时序可以消除电荷注入效应；上极板的话，采样完直接比较吧

二极管连接的MOS管求输出电阻时可以电压-电流负反馈；

综合热噪声、工艺电容误差、寄生电容和开关电容的切换方式这四个方面去考量

DIBL vs. 源漏穿通 vs.DIBL效应，是漏端引入的势垒降低（DIBL，Drain Induced Barrier Lowering）效应，指的是是小尺寸场效应晶体管（FET）中所出现的一种不良现象。这是小尺寸场效应晶体管（FET）中所出现的一种不良现象，即是当沟道长度减小、电压Vds增加、使得漏结与源结的耗尽层靠近时，沟道中的电力线可以从漏区穿越到源区，并导致源极端势垒高度降低，从而源区

1、噪声在相对低的频率时，共源共栅器件产生的噪声可忽略；由于折叠式共源共栅运放多引入了一对对管，因此折叠式共源共栅结构可能比套筒式的相应结构有更大的噪声；2、转换速率反馈电路中使用的运放表现出所谓“转换”（slewing）的大信号特性；对于足够小的输入的响应遵循指数规律，而对于大的阶跃输入，输出表现为具有不变斜率的线性斜坡，这就是转换，斜坡的斜率为“转换速率”；转换是一种非线性现象，例如输入幅度增

常用的基本电子元器件有以下几类：MOS管、三极管、二极管、电阻等；在设计和应用中我们会经常关注到它们的温度系数，下面笔者就定性的来说说它们的参数及其温度特性。场效应晶体管（MOS、MOSFET）：1）阈值电压：vth 该参数为负温度系数，即：随着温度升高，MOS管的开启电压会线性下降，而且非常明显；在模型参数中大家可以注意到以下参数：kt1,kt1l,kt22）线性电流：idlin 该参数为负温度

MOS管串联I-V曲线本来应该一样，但是由于effL，PSE的存在，以及间接导致的DIBL，都会让这两个曲线有区别长沟道器件，两者近似。短沟道器件差别大。其实单纯从W/L上考虑应该是没有区别的。使用两个(或多个）串联，提高L。我认为好处如下：正如二楼所说，避免使用倒比管（W/L远小于1时）；通过拆分为多个管子串联时，在layout上容易布局、匹配；串联时，如果SD电压降低，一个管子进入线性区，但可

电容类型

global variation 全局工艺偏差，指的是同一个器件在不同芯片间的偏差。相对的 local variation，局部工艺偏差，指的是同一个器件在同一芯片不同区域的偏差。The global corner is used to only express the process global variation which include die to die, wafer to wafe