普通IO cell，内置二极管用作ESD保护。考虑一种应用场景，当芯片只有部分上电的时候。芯片部分IO，是断开电源。如果芯片IO外接设备，输入给芯片高电平，会导致二极管导通，使得芯片内电源异常升压；即芯片内电源不是0v，而是3.3-0.7（二极管压降）=2.6v。这种情况，会导致芯片所在PCB板，发生异常情况概率加大，因为PCB板电源不符合期望。方法一：IO采用fail safe，解决此类芯片部分

网上有一套资料Clifford E. Cummings论文合集，还不错。以下是临时想到的亚稳态就是时序违反的后果，异步信号肯定有时序违反可能。单bit 源时钟域打一拍，目的时钟域打两拍或者更多拍多bit fifo方法，原理是格雷码指针判断空满，深入了解，可以分析一下源目的时钟分别是快或慢的情况。架构简单，设计review快，质量可靠。所有异步处理机制，都多想一下。源目的时钟分别是快或慢的情况下，相

文章目录1. CRC校验的原理2. CRC算法3. 电路实现原理1. CRC校验的原理CRC，即循环冗余校验。能检错，能纠正。常用于：外设接口通讯的数据校验。主要原理就是二进制的取余过程。二进制数的取余，基础是二进制数的除法，二进制数的除法，基础是XOR，异或。以后，再遇到CRC问题， 按下述步骤操作即可。2. CRC算法举例，条件有，数据串：1101011011生成多项式：x6 + x4 + x

HVTSVTLVT的意思PVTmulti-channel library7T9T12Tdont use单元列表推荐的单元库选择方法HLP和HPC的区别SOC系统需要的单元库划分推荐的单元库优化方法对umc28nm standard cell library，做一些阅读理解，很多数据资料来源。HVT/SVT/LVT的意思？high VtRegular Vtlow Vt阈值

定义特点意义利用group_path命令，可以控制时序优化的目标范围。相关命令参考文档定义设计的时序路径分组，叫做path groups。默认，每个时钟域对应一个path group。特点DC综合时序优化，每个path group，先优化关键路径（即最差的时序路径），然后才会优化接下来最差的时序路径。关键路径找不到优化解决方案，就会报告时序...

现在手机常用的，应该是emmc，即内部存储介质是nand flash。ufs比emmc，读写速度要快一倍；两者关系犹如固定硬盘相比机械硬盘。

一 总结二 netlist和svf的配套一致三 formality遇到的坑四 pattern match视角五 IPIOstandcell的处理一、 总结：解决dc综合出现fail点的基本思路：1. set synopsys_auto_setup true，记得undriven的选项单独再设置一下，undriven要识别成不定态x，对设计验证更充分。2. set_s

prefaceintroductioninformation_leveldesign hierarchyobject和attribute最开始的时候往往会遇到很多error设置某种message为error检查报告的messagegenus使用的脚本语言是tcldesign information hierarchyElaborationgenus 如何减少运行时间超线程基

introduction用PTPX的好处？作为前端设计人员来说，个人理解：averaged power analysistime-based power analysispower modeling overview静态漏电流功耗本征漏电流功耗gate漏电流功耗动态功耗内部功耗switching开关功耗设置power derating factor生成pow...

一般，PLL等时钟产生模块，都会有RMS jitter的描述，根据这个参数，可以计算出相关时钟的clock jitter，方便设置综合sdc的时钟约束。jitter，即周期值发生左右随机性的变化。满足正态分布图。正态分布有两个参数期望值（平均值μ）。决定了正态分布图的位置。均方差（标准方差σ），反映了每个样本偏离期望值（一般是平均值）的程度。决定了正态分布图的形状。RMS jitter；正态分布的