频率：6GHz-26.5GHz。需要外接噪声源，并且需要知道超噪比。连接噪声源到端口2，然后点击测量。3.VNA输出功率电平设置和输入功率电平设置。1.VNA设置在冷源法噪声特性测试。2.设置线性扫描和频率范围。6.常规SLOT校准。

VNA标量混频器测试不能对群时延进行测量，如果需要则进行矢量混频器测试就可以测量群时延。功率校准（功率探头连接到端口1）3.S参数校准（Open/Short/Load/Thru）2.1校准设置（1.DUT连接2.校准件）端口3/4设置为本振信号输出。2.2功率校准（1.射频2.中频）

方法一单击且OK后如图四，这意味着原理图中的器件没有PCB封装信息，所以需要在原理图中将器件转换为带有PCB封装信息，这一步可以创建自己的封装并附加到原理图器件中去。先前的方法同样导致SnP在布局中不显示，这种情况下可以留有足够距离的空间在输入和输出侧的阻抗匹配微带之间，或者自行画出器件的封装，但是这会导致布局和原理图之间没有关联性，下面来介绍其他方法。并且原理图中的所有器件都已经高亮显示了，如图

图二十五 修改S11\S22为-20dB后优化，并且修改元件优化范围。图十四 进行负载端匹配，负载阻抗由图十三可知。图二十二 整体模拟，阻抗不满足，需要进行优化。图十一 还需要考虑用途和可实现性。图十五可以看到驻波带宽比较窄。图十二 查看匹配到的阻抗原理图。图二十三 带通匹配优化变量设置。图二十一 进行阻抗匹配准备。图七 两SnP级联原理图。图十三 匹配到50Ω附近。图三 SnP模拟原理图。图十九

需要注意的是制造这种PCB时，有可能由于非线性模型或者加工误差的原因，导致实际性能不如仿真性能，所以需要一些灵活调整电路的部分，可以在后期放置铜带或者尝试改变线路的阻抗使得实际性能满足要求。可以使用Tlines-Mcrostrip中的传输线元件绘制偏置线或者使用徒手绘制Inert Trace，设置如图十七，绘制的时候需要Grids打开，并且设置精度为1mm。注意到输出还有长短路枝节，可以进行同样操

尽管E类放大器因为效率高很受欢迎，但是设计挑战也不会减少，也是需要进行一些设计权衡，这一困难是需要提前有准备的。本章包含E类功率放大器工作的基本理论；普遍使用的设计方程；随后，综合了一个接近理想的E类电路，并且使用基本的仿真模板对其进行仿真。在演示如何将这一理想的电路拓扑转换为更实际的电路。其中的分析是前面视频提到的概念和技术，可以在前面的文章找到。本章展示了一种设计E类功率放大器的好方法，并且为