2，与时间有关的栅介质击穿。氧化层的击穿机理，目前认为可分为两个阶段，一是建立阶段，在电应力作用下，氧化层内部及si/sio2界面处发生缺陷的积累，积累的缺陷达到一定程度后，使局部区域的电场达到某一临界值，转入第二阶段，在热、电正反馈作用下，迅速使氧化层击穿。1，热载流子注入效应，热流子是指其能量比费米大几个KT以上的载流子，这些载流子与晶格不处于热平衡状态，当其能量达到或超过Si/SiO2界面势