MRAM先驱Everspin Technologies其最新创新产品EMxxLX系列工业级xSPI STT-MRAM芯片，容量高达64Mb。Everspin的新xSPI产品系列基于扩展的串行外设接口，这是用于非易失性存储设备的最新JEDEC标准。它基于Everspin独特的工业STT MRAM技术。这些产品提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引脚数的SPI兼容总线接口，时钟频率高达2

Everspin在市场和应用中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性是至关重要。MR25H40VDF是一个4194,304位MRAM设备系列，组织为524,288个8位字。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是理想的内存解决方案。它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟并且读/写寿命不受限制。与其他串行存储器不同，使用MR25H40VDF系列，读取

温度传感器IC凭借集成化、高精度和数字接口等优势成为现代电子系统的优选方案。这类传感器集成感温元件和信号处理电路，具有免校准、低功耗、抗干扰等特点，支持I²C/SPI数字输出，测量范围达-55°C至+125°C。相比传统热敏电阻，IC方案能简化设计、降低成本并提升稳定性，广泛应用于充电桩、工业设备、医疗仪器等领域。RAMSUN作为专业芯片企业，提供多款高性能温度传感器IC产品和技术支持服务。

PSRAM（伪静态随机存储器）结合了DRAM的高密度和SRAM的易用性，采用类SRAM接口无需刷新，简化了设计。其特点包括高密度、低成本、低功耗和简化接口，适用于智能语音、嵌入式图形处理和工业自动化等领域。英尚微电子的EMI系列PSRAM专为物联网和AI设备设计，提供多种容量选择，兼具紧凑尺寸和高性价比优势。

国产温湿度传感器GXHT30可完全替代盛思锐SHT30，实现无缝替换。两者引脚完全兼容（DFN-4封装），电气参数匹配（2.4V-5.5V宽电压、低功耗），I²C通信协议一致。性能指标相当，硬件无需改动，软件仅需最小调整，可显著降低成本并提升供应链安全性。提供样品测试和技术支持服务。

磁阻式轮速传感器是霍尔式轮速传感器的升级，相较于霍尔技术，在灵敏度、精度、信噪比和抗干扰能力等性能上都有一个量级的提升，在汽车轮速传感器应用上，有着突出的性能优势。ABS防抱死制动系统作为汽车上最重要的安全系统之一，主要用于在汽车制动时，自动控制制动器制动力的大小，防止汽车在紧急刹车时车轮抱死，使汽车在制动状态下仍能转向，保证汽车的制动方向稳定性，并避免滑移和甩尾等危险情况的发生。RMASUN提供

在VCE1715内部有两组磁饱和模式下工作的惠斯通电桥，以提供高精度的角度测量同时具有较宽的测量范围。VCE1715采用了微传的各向异性磁阻（AMR）技术，相比基于霍尔效应的磁传感器有很多优势，可以广泛应用于位置感测、转速测量、角度测量以及非接触式的准确位置测量系统。-低的工作磁场（饱和模式）：80G的工作磁场，对磁铁的选择自由度大，可选用低成本磁铁，同时对磁铁磁场强度的变化有很高的容忍度。-宽的

在BLDC电机控制系统中，角度传感器能够检测电机磁铁的位置或转子的旋转角度，为控制系统提供精确的位置反馈。常见的角度传感器类型包括霍尔效应传感器、异性磁阻（AMR）传感器、光电式传感器和旋转变压器等。对于BLDC电机控制系统而言，能感应旋转角、准确测量绝对角度位置，并且具有较低角度误差率和线性稳定误差率的传感器是理想的选择。RAMSUN提供的角度传感器是专门设计在磁饱和状态下进行角度和转速测量的表

此外，它还支持块写保护，拥有快速且简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz，工作电压范围为2.7至3.6伏，并具备低电流睡眠模式。该产品符合工业温度标准，并提供8引脚DFN封装或符合RoHS标准的小标志包装，可直接替换现有的串行EEPROM、闪存和FeRAM。该设备提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，无写延迟，并且其读/写寿命是不受限制的。该产品能在广泛的温度范围内提供高度可靠的数据

它有两个供用户选择的I2C地址，I2C通信速度高达1MHz，芯片采用小型化DFN封装，外形尺寸2.5x2.5mm2，高度0.9mm.可以集成在各种应用场合。全温湿度范围校准和温度补偿数字输出，宽电源电压范围从2.5V到5.5V，I2C接口，通信速度高达1MHz，两个用户可选择的地址，典型精度为±3%RH和±0.3℃，具有高可靠性和长期稳定性，测量0-100%范围相对湿度，测量-45-130℃范围内