51单片机复位电路
单片机的复位方式采用高电平还是低电平复位是在芯片生产的时候确定下来的，我们使用单片机的时候可以从对应的数据手册中找到，51单片机采用的是高电平复位方式。上面电路就是高电平复位电路。上电的瞬间，电容器充电，充电电流很大（电容容抗低），在电阻上形成的电压高RST表现为高电平，几个毫秒之后，电容充满，电流为0，电阻上的电压也就为低电平了，单片机将进入正常工作状态。也可以这样理解，电容和电...
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单片机的复位方式采用高电平还是低电平复位是在芯片生产的时候确定下来的，我们使用单片机的时候可以从对应的数据手册中找到，51单片机采用的是高电平复位方式。
上面电路就是高电平复位电路。上电的瞬间，电容器充电，充电电流很大（电容容抗低），在电阻上形成的电压高RST表现为高电平，几个毫秒之后，电容充满，电流为0，电阻上的电压也就为低电平了，单片机将进入正常工作状态。
也可以这样理解，电容和电阻进行分压，刚开始上电时，电容的容抗很小，分的电压很低。RST上的电位是高的。电容充满电不在有电流，像一个无穷大的电阻，无穷大的电阻与10k分压，RST电位是低电平。
补充对电容的理解：
电容两端的电压不能突变，来源于自然界无法产生无穷大的电流这一命题。电容是存储电荷的，就像装水的容器，不可能瞬间装满它或容者放空它。电荷的移动会产生电流，所以对电容充电、放电都不能瞬间完成，因为不能产生无限大的电流。
刚接通电源时，对电容充电，此时电流非常大，因为此时没多少容抗=1/2πfc（容量越大，容抗越小），电容容量由大变小（渐渐满了），等电容充满电了，容抗就大了，电流就小了。电容的电流超前电压90°
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