MOS管的驱动电路有两个要点：

1、瞬态驱动电流要够大，所谓驱动MOS管，主要就是对MOS管栅极的寄生电容的充电放电，也就是打开和关闭MOS管

2、NMOS的Vgs(门-源电压)高于4V即可导通，PMOS的Vgs(门-源电压)低于-4V即可导通

直接驱动NMOS

R1为负载

仅适用于NMOS低端驱动，因为NMOS导通的条件是：Vgs高于4V左右，5V的PWM波刚好满足要求（3.3V的低压单片机这里就有无法完全打开NMOS的风险，表现为MOS发热，或者负载两端电压过低）

推挽输出（图腾柱式驱动）

R1为负载

这个电路是共射极放大电路，主要是起到放大MOS管栅极的驱动电流，不能放大电压，

适用于NMOS低端驱动，单片机直接驱动MOS管的栅极时，电流不够，开关速度过慢，MOS管发热时，可以增加驱动电流，实现更快速的MOS管的开关

一种变换电压的推挽式驱动电路

R8为负载

如果采用PMOS作为高端驱动的话，那么关断PMOS就要使栅极电压至少等于源极电压

采用两个NPN三极管+ 一个二极管，实现给PMOS栅极0V~12V的快速变换

当然也可以用于NMOS的低端驱动

此电路同时适用于3.3V输出的单片机

这里PMOS的寄生二极管没有画错方向，评论区的朋友说画错了，我确认了几遍，确实没错。

这里要说明一下，

NMOS管是漏极(D)流入电流，源极(S)流出电流，栅极(G)控制开关

PMOS管是源极(S)流入电流，漏极(D)流出电流，栅极(G)控制开关

如果NMOS或者PMOS的D-S的方向接反了，那么栅极就失去了控制的功能，管子会一直导通（由于内部寄生二极管存在造成的导通）

采用半桥芯片实现半桥驱动电路

EG3013等半桥芯片的好处是：

1、可以使用两个NMOS实现半桥电路，便宜

2、自举升压电路，方便

3、自带死区控制（避免两个MOS同时导通），安全

缺点嘛。。。有点慢，高频闪烁来控制亮度的话，不太行，如果是控制电机正反转，低频启停用电器话，肯定是没问题的

而且，不一定是用来做半桥，单拿出一路也能直接驱动NMOS，做高低端驱动都可以