SRAM：静态随机访问存储器

      一个SRAM存储单元由4个晶体管和2个电阻器组成，利用晶体管的状态切换来存储数据，而不是电容器，因此读数据时不存在漏电问题，不需要刷新操作。但是由于SRAM需要的晶体管数多，因此成本高。

DRAM：动态随机访问存储器

     一个DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成，利用电容量存储电量的多少来存储数据，由于电容器存在漏电问题，因此需要定期刷新。读数据时，电容量的电量会消失，因此每次访问之后，也需要刷新，以防止数据丢失。

SDRAM：同步动态随机访问存储器

   同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。传统的DRAM在两个读周期之间需要等待一段时间，用于充电操作。而SDRAM一个模组有两个bank，在对一个bank充电时，可以操作另一个bank，实现流水线。

      SDRAM的发展已经经历了五代：分别是SDR SDRAM、 DDR SDRAM、 DDR2 SDRAM、 DDR3 SDRAM、 DDR4 SDRAM。

DDR3：

      2005年制造出DDR3的原型产品。2007年，市场开始使用DDR3内存芯片。

       与DDR2相比，DDR3采用8bit预取，因此提供更高的传输速率(2133MT/s)；更低的工作电压（1.5V，DDR2工作电压为1.8V），另外采用了不同的封装工艺，因此能耗更低。

延迟周期同样比DDR2增长，引脚数增加。

DDR4：

      2011年，samsung宣布生产出第一个DDR4内存模块。2012年，samsung、Micron等开始量产DDR4 SDRAM芯片。

     与DDR3相比，DDR4提供更高的时钟频率和传输速率（4166MT/s）；更低的工作电压（1.05~1.2V），因此能耗更低。