用HBM模型测量电子元件ESD等级的方法 2021-05-29
用HBM模型测量电子元件ESD等级的方法HBM的ESD测试规格有AEC-Q200-002和IEC61000-4-2等,HBM模型常熟如下表所示因规格有所不同。规格名充电用电容器 Cd(pF)放电用电阻 Rd (Ω)AEC-Q200-0021502000IEC61000-4-2150330AEC-Q200-002HBM的ESD测试电路及放电电流波形如图1、图2所示。(i)开关2为断开状态,开关1闭合
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用HBM模型测量电子元件ESD等级的方法
HBM的ESD测试规格有AEC-Q200-002和IEC61000-4-2等,HBM模型常熟如下表所示因规格有所不同。
规格名 | 充电用电容器 Cd(pF) | 放电用电阻 Rd (Ω) |
---|---|---|
AEC-Q200-002 | 150 | 2000 |
IEC61000-4-2 | 150 | 330 |
AEC-Q200-002HBM的ESD测试电路及放电电流波形如图1、图2所示。
(i) | 开关2为断开状态,开关1闭合,施加高压电源,充电用电容器(Cd)存储电量。 |
(ii) | 开关1断开,开关2闭合,电对测试对象电容器(Cx)施加Cd存储的电量,进行测试。 |
※Cx:测试对象电容器 Cd:充电用电容器 Rd:放电用电阻 Rc:保护电阻
图1.HBM的ESD测试电路
图2.放电电流波形
根据AEC-Q200-002,HBM的ESD测试流程如图3所示,级分类如表1所示。根据图3的流程进行测试,耐电压的分级如表1所示进行分类。
图3.HBM的ESD测试流程
表1.HBM的ESD测试流程
分类 | 超大耐电压 |
---|---|
1A | 500V(DC)以下 |
1B | 0.5kV(DC)以上 1kV(DC)以下 |
1C | 1kV(DC)以上 2kV(DC)以下 |
2 | 2kV(DC)以上 4kV(DC)以下 |
3 | 4kV(DC)以上 6kV(DC)以下 |
4 | 6kV(DC)以上 8kV(DC)以下 |
5A | 8kV(DC)以上 12kV(AD)以下 |
5B | 12kV(AD)以上 16kV(AD)以下 |
5C | 16kV(AD)以上 25kV(AD)以下 |
6 | 25kV(AD)以上 |
DC:直流接触放电 AD:空气放电
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