DRAM

DRAM，即我们平时所说的内存的物理组成器件，是一种易失性存储器（一断电信息就没了）。DRAM采用地址线分时复用技术，减少地址线的数量。与SRAM 不同，DRAM是用电容来存储，即使通着电，随着时间和温度的变化，信息也会丢失，因此，必须每隔一段时间刷新一次，这个时间称为刷新周期。一般为2ms，北邮教材写的是8ms。

刷新操作

1.按行来进行内部的读操作。
2.由刷新计数器产生行地址，选择要刷新的行，读即刷新。
刷新一行的时间即是存储周期。（存取周期就是两次读或写之间所需最小的时间间隔。）
3.需要刷新的行数为单个芯片单个矩阵的行数（对于内部包含多个存储矩阵的芯片，各个矩阵同一行同时被刷新）

刷新方式

集中刷新

在刷新周期内，选一段时间，对DRAM的所有行全部刷新一遍，在此期间停止对存储器的读写操作，这段时间称为“死时间”，又称访存死区。假设是128×128的DRAM，存储周期是500ns，则死区时间就是

500ns×128=64μs

分散刷新

一般来说，刷新一次的时间等于存取周期。而分散刷新就是在每个存储周期后刷新一行，这样假设原本0.5微秒的芯片存取周期，换成系统存取周期就变成1微秒了。由于分散刷新每访问一次就刷一次，因此假设128×128个存储单元的DRAM，一次刷新周期内，刷新的行的次数都大于128了，降低了整机的速度

异步刷新

异步刷新结合了上面两种刷新，把集中刷新的死区时间平均分散开来，假设DRAM128×128,则只需要刷新128次，并且每2ms/128= 15.625μ秒刷新一行。