IGBT静态参数测试系统​​​​​​​单台Z大3000V输出；单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A；10us的超快电流上升沿；

IGBT测试难点：1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。5、MOSFET的电容曲线是其特性表征

​一、案例项目简介1.项目背景钙钛矿型太阳能电池（perovskite solar cells），是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池，属于第三代太阳能电池，也称作新概念太阳能电池。2.项目挑战传统电子负载加万用表测量的效率低下；进口源表的软件配套开发不完善。二、钙钛矿材料简介1.钙钛矿材料种类钙钛矿晶体为ABX3 结构，一般为立方体或八面体结构。在钙钛矿晶体中，B离子位于

SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量

IGBT静态测试系统大电流模块：50us—500us 的可调电流脉宽，上升边沿在 15us(典型值)，减少待测物在测试过程中的发热，使测试结果更加准确

近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件,并得到越来越广泛的应用,那么IGBT的测试就变的尤为重要了。lGBT的测试包括静态参数测试、动态参数测试、功率循环、HTRB可靠性测试等,这些测试中最基本的测试就是静态参数测试。PMST系列功率器件静态参数测试系统是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一款能够提供IV、 CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度

功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA

半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在 0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。

由于VCSEL具有阈值电流低、工作波长稳定、光束质量好、易于一维和二维集成等优点,在光通信、激光显示、光存储、消费电子等领域得到了广泛应用。VCSEL在窄脉冲情况下的峰值功率、工作电流、工作电压、转化效率、近远场光学特性等参数对于芯片供应商、封装服务商、模组集成商等都非常重要。

在霍尔电流传感器的研发、使用过程中,需要对器件进行可靠性测试，主要包含零点、线性度、误差等静态测试项，带宽、响应时间、噪声等动态测试项，以及温度漂移测试等，这些参数的测试对于判断霍尔电流传感器的性能是否稳定可靠、分析其工作机制、验证其工作性能以及指导器件选型使用具有重要的意义。