本文从电路设计角度分析CDM ESD保护问题。作者基于多年模拟IC设计经验指出，CDM ESD失效多源于放电通路分析不足而非器件保护能力不足。文章对比了CDM与其他ESD模型（HBM/MM/FIM）的差异，指出CDM的特殊性在于放电源来自芯片自身，放电通路涉及整个电路结构。通过反相器案例，详细分析了CDM的正负两种充电模式下可能的放电通路，强调栅极保护的重要性。文章还通过两个特殊案例（片上电容和大