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TSMC 40nm工艺使用笔记(i)
1、MOS管的Vth和gate面积有关。使用短finger,多个并联可以有效降低Vth。exp:length=200n,width=1u,number of fingers=1,m=1 Vth=402mVlength=200n,width=250n,number of fingers=4,m=1 Vth=394mV原因猜想:gate面积越大,反型层下方积累电荷越多。2、MOS管饱和...
密勒补偿
密勒补偿导致极点分裂是一个老套路了。但今天发现了一种更加科学的理解方式。1、二阶系统基本上所有的运放最后都要去简化到二阶。因为第一数学上一个因式可以拆成一阶和二阶。第二高阶系统是不好直观设计的。注:直观这个词对应的原文是insight,本意是从电路本质出发,提供设计思路(直觉)的理解方式,而非数学计算。但并不代表电路是看出来的。二阶系统的一般表达式:这两种形式都非常重要。第一种...
到底了







