内部开关(PFET/NFET)的低RDS(on):260mQ/180mQ。静态电流:典型值为每个通道55μA。紧凑型封装:TSOT23-8。2.5伏至5.5伏输入电压。次数:1A雷尔·沙恩内尔。符合RoHS标准且无卤素。1.5MHz开关频率。

模块内部集成了完整的电源转换电路，包括功率开关、变压器和反馈控制电路，用户无需额外设计复杂的外围电路即可使用。ME082A33M3G具备高效率的电源转换能力，典型效率达到87%，减少了热量的产生，提高了系统的可靠性。高达1500VDC的隔离电压确保了模块在高压环境下的安全运行，防止电气干扰和短路风险。该模块的工作温度范围为-40℃至+85℃，适应工业级工作环境，可在恶劣条件下稳定工作。采用SIP封

最高可达93%的效率提供6引脚SOT23-6封装。2.5伏至24伏输入电压1.2兆赫固定开关频率。最高可达24伏输出电压自动脉冲频率调制。集成80mΩ功率MOSFET。内部4安培开关电流限制。

特性 适用于线圈电流高达2.8A（峰值）、2A RMS的两相步进电机STEP/DIR接口，支持8、16、32或64微步引脚设置通过MicroPlyer插值实现256微步平滑运行StealthChop2静音电机运行SpreadCycle高动态电机控制斩波器StallGuard4负载和失速检测功能，适用于StealthChop模式CoolStep电流控制，节能高达75%低RDSon，低发热，低端170

内部开关(顶部/底部)的低Rds(on)85m2/50mΩ。高开关频率 1.0MHz 最小化外部组件。紧凑型封装:QFN 1.5x1.5-7。2.7~5.5V输入电压范围。符合RoHS标准且无卤素。内部软启动限制浪涌电流。低功耗电流 55微安。

提供热增强的ESOP8封装封装。3.6伏至40伏工作输入范围。轻载时高效率(>78%)固定440kHz开关频率。最高可达94%的效率。

该器件可以在低至1.2V的输入电压下启动。输入开关峰值电流可编程，最高可达 9A，输出平均负载电流限制可通过外部电阻器进行编程。1.2V最小启动输入电压 1.2V 至 5.0V 输入电压范围 2.5V至5.5V输出电压范围 支持2.8V输入的5V/3.5A输出 高达 9A 的可编程开关峰值电流限制 可编程平均负载电流限制 600kHz 伪恒频开关 低静态电流：<30uA 全负载范围内的高效率 真正

特性 2.5%~100.0%调光范围当PWM = 0.0%时，偏置电源采用恒压（CV）模式初级侧控制，无需光耦合器初级MOSFET谷底导通，实现低开关损耗200mA源电流和600mA灌电流驱动能力低启动电流：典型值34μA可靠的LED短路和开路保护低工频纹波紧凑封装：SO8

短路保护的“打嗝”功能输出自动放电功能符合ROHS标准且无卤素紧凑型封装:SOT23-5。2.5V至5.5V输入电压范围内部开关(顶部/底部)的低Rds(on)高开关频率1.5MHz，最小化外部组件。内部软启动限制浪涌电流。

特性 高效率：高达96%1.5MHz定频操作高达1.5A输出电流（Vout = 1.2V）无需肖特基二极管2.5V至5.5V输入电压范围输出电压低至0.6V压差时100%占空比低静态电流：50μA斜率补偿电流模式控制，具备出色的线路和负载瞬态响应短路保护热故障保护浪涌电流限制和软启动输入过压保护（OVP）关断电流<1μASOT23-5封装